Израильская компания Tower Semiconductor инвестирует около $3 млрд в расширение производства полупроводников в Японии. Правительство страны поддержит проект грантами на $1 млрд.
Компания намерена наладить выпуск 300-миллиметровых кремниевых пластин по технологиям кремниевой фотоники (SiPho) и кремний-германия (SiGe), а также заняться передовой корпусировкой чипов. Эти компоненты востребованы в производстве оборудования для систем искусственного интеллекта и дата-центров.
Проект разделен на два этапа. Сначала Tower Semiconductor модернизирует и перепрофилирует бывшую фабрику Panasonic в городе Араи, которая теперь принадлежит компании. На этой площадке наладят производство SiPho-пластин и корпусировку. Предприятие должно выйти на полную мощность в четвертом квартале 2027 года.
На втором этапе рядом с другой фабрикой Tower Semiconductor в городе Уодзу построят новое предприятие. Оно позволит значительно нарастить выпуск продукции по технологиям SiPho и SiGe для удовлетворения растущего спроса. Строительство начнется после подписания необходимых соглашений.
Благодаря первому этапу расширения Tower Semiconductor рассчитывает в 2028 году увеличить выручку до $3,6 млрд, а чистую прибыль – до $1,2 млрд. Компания ожидает, что новый завод в Уодзу станет высокорентабельным с 2029 года.
Инвестиции Tower Semiconductor соответствуют стратегии Японии, которая стремится укрепить национальное производство полупроводников и снизить зависимость от импорта. Компания создаст в стране технологический центр и будет сотрудничать с властями префектур Тояма и Ниигата, а также с местными поставщиками и исследовательскими институтами. Под новые проекты уже нанимают и обучают персонал.
В марте 2024 года американская GlobalFoundries подала в США несколько исков к Tower Semiconductor, обвинив компанию в нарушении патентов.
